MRFX1K80H: 1800 W CW preko 1.8-400 MHz, 65 V širokopojasna RF snaga LDMOS tranzistor-RF tranzistor-FMUSER FM / TV dobavljač na jednom mjestu

MRFX1K80H: 1800 W CW preko 1.8-400 MHz, 65 V širokopojasni RF napajanje LDMOS tranzistor Opis MRFX1K80H prvi je uređaj zasnovan na novoj 65 V LDMOS tehnologiji koji se fokusira na jednostavnost upotrebe. Ovaj tranzistor visoke robusnosti dizajniran je za uporabu u visokim VSWR industrijskim, znanstvenim i medicinskim primjenama, kao i u radio i VHF TV emisijama, zrakoplovnoj industriji ispod GHz i mobilnim radiom. Njegov neusporediv ulazni i izlazni dizajn omogućuje upotrebu širokog frekvencijskog raspona od 1.8 do 400 MHz. MRFX1K80H je kompatibilan s pinovima (ista PCB) sa svojom plastičnom verzijom MRFX1K80N, s MRFE6VP61K25H i MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V) i s MRF1K50H i MRF1K50N (1500 W pri 50 V). Značajka

Detalji

Prethodna:1 PCS MRF454 originalni RF tranzistor

Sljedeći:FMUSER originalni novi MRF1535NT1 RF tranzistor snage Snaga MOSFET tranzistor

Cijena (USD)	Kom (PCS)	Dostava (USD)	Ukupno (USD)	Način isporuke	Plaćanje
245	1	0	245	DHL
				DHL

MRFX1K80H: 1800 W CW preko 1.8-400 MHz, 65 V širokopojasni RF napajanje LDMOS tranzistor

Opis

MRFX1K80H prvi je uređaj zasnovan na novoj 65 V LDMOS tehnologiji koja usredotočuje se na jednostavnost korištenja. Ovaj tranzistor visoke robusnosti dizajniran je za uporabu u visokim VSWR industrijske, znanstvene i medicinske primjene, kao i radio i VHF TV emitirane, zračne i svemirske aplikacije ispod GHz i mobilne radio stanice. Njegov neusporediv unos i Izlazni dizajn omogućuje upotrebu širokog frekvencijskog raspona od 1.8 do 400 MHz.MRFX1K80H je kompatibilan s pinovima (isti PCB) sa svojom plastičnom verzijom MRFX1K80N, s MRFE6VP61K25H i MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V) te s MRF1K50H i MRF1K50N (1500 W @ 50 V).

Značajke
●Temelji se na novoj 65 V LDMOS tehnologiji, dizajniranoj za jednostavnu upotrebu
●Karakterizirano od 30 do 65 V za prošireni raspon snage
●Neusporedivi ulaz i izlaz
●Visoki naponi proboja za poboljšanu pouzdanost i veću učinkovitost arhitektura
●Visoka sposobnost apsorpcije energije lavine iz odvodnog izvora
●Visoka hrapavost. Ručke 65: 1 VSWR.
●RoHS sukladan

●Opcija nižeg toplinskog otpora u preformiranom plastičnom pakiranju: MRFX1K80N

Aplikacije

● Industrijski, znanstveni, medicinski (ISM)
● Generiranje lasera
● Generiranje plazme
● Ubrzivači čestica
● MRI, RF ablacija i liječenje kože
● Industrijski sustavi grijanja, zavarivanja i sušenja
● Radio i VHF TV prijenos
● Vazduhoplovstvo
● VF komunikacije

● Radar

Paket uključuje

1xMRFX1K80H RF snaga LDMOS tranzistor